요약
삼성, 1,000배 빠른 속도의 ‘MRAM’ 24일 공개
삼성이 현재 널리 사용되고 있는 전기 충전 방식으로 데이터를 읽고 쓰는 DRAM보다 1,000배 빠른 읽기, 쓰기 속도를 낼 수 있는 MRAM(Magnetic Random Access Memory)을 다음 달 24일 캘리포니아에서 개최되는 파운드리 포럼에서 공개한다.
MRAM는 자기 저항 효과를 이용해 데이터를 읽고 쓰는 방식이다. 활성화 상태에서는 전력 소모가 적고 비활성화 상태에서는 전력 소모가 제로가 된다. 훨씬 작은 크기로 모바일 기기, IoT(사물인터넷) 기기에 최적화된 메모리다.
공돌이와 외계인을 얼마나 간건지
